Column-Address-Strobe-Latency

Die Column Address Strobe Latency (CL oder CAS Latency) bezeichnet die Anzahl der Taktzyklen, die ein RAM-Baustein benötigt, um die Daten zu verarbeiten, die während der Column Address Strobe geliefert werden, bevor der Baustein weitere Daten  verarbeiten kann oder das Resultat abliefert. DRAM-Bausteine sind matrixförmig organisiert in Spalten (Columns) und Reihen (Rows). Die Column Address Strobe ist hierbei die Signalleitung für Spaltenadressen.  Die Anzahl der Speichertaktzyklen die vergehen, bis eine gültige Spaltenadressierung erfolgt, bezeichnet man als Latenz der Column Address Strobe oder eben Column Address Strobe Latency. 

Row Address Strobe Latency
Es gibt noch weitere solcher Latenzen: die Row Address Strobe  Latency (RAS Latency) bezeichnet die Anzahl der Speichertaktzyklen die benötigt werden, um eine gültige Reihenadressierung zu erhalten. Ausserdem gibt es noch die RAS zu CAS Latenz. 

Latenzen, Pausenzyklen und Taktperiode
Grundsätzlich gilt: ein RAM-Baustein mit CL4 ist schneller als einer mit CL5. Neben den Latenzen bestimmen  noch die Pausenzyklen über die Geschwindigkeit: einstellbar sind meistens 2 oder 3 Pausenzyklen. Die Taktperiode ist im Prinzip äquivalent zum Taktzyklus - die allgemeine Formel lautet: 
1/Takt * 1000 = Zugriffszeit oder 1 / Zugriffszeit * 1000 = Takt.
Beispielsweise ist ein Speicher mit einer Zugriffszeit von 6 Nanosekunden geeignet für einen Takt von 166 MHz.  Ein weiteres Merkmal eines RAM-Bausteines ist die Speicherbandbreite: PC 2700 bei einem DDR-SDRAM Baustein bedeutet, dass bei einer Frequenz von 166 MHz und einer Speicherbusbreite von 64 Bit (= 8 Byte) ca. 2700 MByte pro Sekunde verarbeitet werden  können.                                       
Siehe auch:    RAM   DRAM   SDRAM   DDR2-DDR3-RAM   EDO-DRAM   Hauptspeicher   Adressbus   Cache   L1-Cache   Megahertz

  Hauptspeicher
Arbeitsspeicher 256 MB DDR PC 2700 CL2.5 (Column Address Strobe Latency, CAS Latency) Arbeitsspeicher 256 MB DDR PC 2700 CL2.5 (Column Address Strobe Latency, CAS Latency)
Ein Computersystem benötigt einen schnellen und grossen Speicher. Dies ist der Hauptspeicher der auch Arbeitsspeicher genannt wird. Er wird auch als Zwischenspeicher für Berechnungen und Datentransfers verwendet.  Je Speicher-fressender die Anwendung (beispielsweise CAD, 3D-Grafik, Spiele)  und je Ressourcen-hungriger das Betriebssystem, desto grösser sollte der Hauptspeicher sein, damit die Anwendungen stabil laufen. Windows Vista benötigt beispielsweise sehr viel Arbeitsspeicher: mit der  Benutzeroberfläche Aero (ab Windows Vista Home Premium) kann Vista schon mal 450 MB Arbeitsspeicher belegen, ohne dass eine weitere spezielle Anwendung läuft!  Als Speicherbreite bezeichnet man die Anbindung des Speichers an den Adressbus. Heute gebräuchlich sind 32-Bit (Intel ab 386 bis Pentium 4/AMD Athlon/Apple bis Macintosh G4: Max 4 Gibibyte), 48-Bit (AMD64/Intel64: Max 256 Tebibyte)  oder auch 64-Bit (Power Mac G5/Intel Itanium: Max 16 Exbibyte).  Ein weiteres Thema ist die Zugriffsgeschwindigkeit auf RAM-Bausteine. Eine wichtige Benchmark ist die absolute Latenz, die sich aus den beiden Kriterien Timing und effektiver Takt ergibt. Siehe auch → Column Address Strobe Latency (CL).  Heute übliche RAM-Bausteine sind: DDR400 CL2-2-2-5, DDR500 CL3-3-2-8, DDR2-667 CL4-4-4-12, DDR2-667 CL5-5-5-15, DDR2-800 CL4-4-4-12, DDR2-800 CL5-5-5-15, DDR2-1066 CL4-4-4-12, DDR2-1066 CL5-5-5-15 oder  DDR3 1066 CL7-7-20, DDR3-1333 CL8-8-8 und DDR 1600 CL8-8-24, DDR3 1800 CL8-8-28, DDR3 1866 CL9-9-24, DDR3 2000 CL 9-9-24 Bausteine.  Die Entwicklung ist hier sehr schnell, so dass auch bald schnellere Bausteine im Umlauf sein werden.                                       
Siehe auch:    RAM   Column-Address-Strobe-Latency   DDR-SDRAM   DDR2-DDR3-RAM   SIMM   DIMM   SDRAM   DRAM   Benchmark   GDDR