Ein High-k-Dielektrikum ist in der Halbleitertechnologie ein Material dessen Dielektrizitätszahl grösser ist als die von Siliciumdioxid (ε =3,9). Durch den Einsatz von High-k Materialien kann die Dicke der Isolatorschicht in MOSFETs  (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor (zu Deutsch: Metall-Oxid-Halbleiter Silicium Feldeffekttransistor))  bei gleichbleibender oder verringerter Kapazität erhöht werden. Dabei werden Leckströme durch den Isolator drastisch verringert.

Bei Intel's Core 2 Prozessor mit dem Codename "Penryn" (45 Nanometer-Technologie)  wird erstmals Hafnium als High-k-Dielektrikum eingesetzt.