Ein High-k-Dielektrikum ist in der Halbleitertechnologie ein Material dessen Dielektrizitätszahl grösser ist als die von Siliciumdioxid (ε =3,9). Durch den Einsatz von High-k Materialien kann die Dicke der Isolatorschicht in MOSFETs  (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor (zu Deutsch: Metall-Oxid-Halbleiter Silicium Feldeffekttransistor))  bei gleichbleibender oder verringerter Kapazität erhöht werden. Dabei werden Leckströme durch den Isolator drastisch verringert. Bei Intels Core 2 Prozessor mit dem Codename "Penryn" (der mit der 45 Nanometer-Technologie hergestellt wird)  wird erstmals Hafnium als High-k-Dielektrikum eingesetzt.                                                   

Complementary Metal Oxide Semiconductor. CMOS-Microchips sind integrierte Schaltkreise mit einer geringen Leistungsaufnahme. Weiterhin sind sie nicht störanfällig.  Deshalb werden sie auch als → CMOS-RAM eingesetzt.  Bei CMOS-Halbleiterbausteinen werden sowohl p-Kanal- als auch n-Kanal-MOSFETs (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)  auf einem gemeinsamen Substrat eingesetzt. In ICs (Integrated Circuit) wird die CMOS-Technologie oft als Logikbauelement eingesetzt.                                                   

NMOS (= N-Channel Metal-Oxide Semiconductor) ist in der Halbleitertechnik ein Bauelement und eine Logikschaltung. NMOS Bauelemente werden in MOSFETs (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) verwendet.  Bei einer NMOS-Logikschaltung wird nur der NMOS-Transistor als aktives Schaltelement eingesetzt.