Transfer Resistor (Übertragungswiderstand) von den Physikern und späteren Nobelpreisträger John Bardeen, William Shockley und Walter Brattain erfundenes Halbleiterbauelement.  Grundsätzlich gleicht ein Transistor der Funktion einer Elektronenröhre, wobei der Transistor eine weitaus geringere Leistungsaufnahme zum Betrieb benötigt. 

Betrachtet man das Material aus denen die meisten Transistoren hergestellt werden, so ist der Transistor mit der Diode verwandt:  Sowohl bei Silicium-Transistoren als auch bei Dioden beträgt die Schwellwertspannung des P-N-Übergangs 0,6 bis 0,7 Volt.  Der Transistor läßt sich wahlweise als Schalter oder Verstärker verwenden. Durch das Anlegen einer Spannung (Bsp. Basis-Emitter) kann er derart gesteuert werden, daß der Übergangswiderstand  (Kollektor-Emitter) verändert wird, und somit eine Verstärkerschaltung realisiert. Mit dem Transistor konnte 1947 erstmals eine menschliche Stimme verstärkt werden.  Transistoren werden heute noch in unterschiedlichen Bereichen der Leistungselektronik eingesetzt, wie beispielsweise in den Endstufen von Verstärkern.  Derartige Leistungsverstärker, aber auch andere Elektrogräte mit integrierten Transistoren findet man heute in jedem bekannten Elektromarkt.  Gerade in der analogen Schaltungstechnik werden unterschiedliche Transistoren mit anderen elektronischen Bauelementen auf Leiterplatten verbunden, weil hierfür vielfach noch keine anderen Alternativen entwickelt wurden.  Der Einbau diskreter Transistoren-Schaltungen liegt beispielsweise immer noch in der hochwertigen Audiotechnik.         

Die Elektronenröhre wurde nach und nach abgelöst. Mit der Weiterentwicklung des Transistors wurde die Informations- und Kommunikationstechnik grundlegend revolutioniert und schliesslich der Grundstein für die Mikroprozessortechnologie gelegt.  Es gibt unipolare Transistoren: der Feldeffekttransistor (FET). FETs werden durch eine Spannung gesteuert. Die Anschlüsse heissen Gate, Drain und Source. Beim MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) kommt noch das  Substrat (Bulk) hinzu, ein weiterer Anschluss der mit der Source verbunden ist. Beim Bipolaren Transistor tragen Elekronen sowie Elekronenlöcher zur Funktion bei. Der auch Bipolar Junction Transistor (BJT) genannte Transistortyp hat 3 Anschlüsse  (Kollektor C, Basis B und Emitter E) und existiert in der Ausführung NPN oder PNP. Dadurch liegen immer 2 gegeneinander geschaltete PN-Übergänge vor. Weiterhin existieren Mischformen. 

Transistor Ausführungen 
Neben herkömmlichen MOSFET-Transistoren kommen organischen Feldeffekttransistoren (OFET) und Transistoren mit integrierten polymerelektronischen Schaltkreisen (IPC) demnächst auf den Markt. Diese eignen sich insbesondere für  den low-Budget Bereich im Segment für niedrigpreisige Elektronik-Bauteile wie RFID-Chips. Bei All-Polymer-Feldeffekttransistoren (PFET) werden alle Schaltteile wie Gate, Drain und Source sowie die Halbleiter und  sogar das Dielektrikum aus löslichen Polymeren realisiert. 

Die derzeit diskutierten Möglichkeiten reichen von Y-Transistoren (Senkung der Leckströme) über optische Transistoren mit photonischen Kristallen, Nanotransistoren (Werkstoff Graphen, Graphan) bis zu Quantencomputer oder Gencomputer.  Intel ist in der im 22-Nanometer-Strukturbreite-Verfahren gefertigten Intel Ivy-Bridge Mikroarchitektur dazu übergegangen, nicht-planare FinFET Transistoren einzusetzen.  Bei FinFET Transistoren befindet sich die leitende Schicht auf einem Silicium-Überhang (oder Grat was im Englischen 'Fin' heißt). Durch diese Konzeption werden auch Leckströme vermindert und die Schalteffizienz verbessert.  Zudem erhöht sich die Integrationsdichte der Transistoren. Diese Transistor-Architektur gehört zur Gruppe der Multi-Gate Feldeffekttransistoren.