Transistor
NPN-Transistor mit einem Schwellwert von 0,7 V und einem Stromverstärkungsfaktor von 200 IC/IB = 16,08 mA / 80,42 µA. NPN-Transistor mit einem Schwellwert von 0,7 V und einem Stromverstärkungsfaktor von 200 IC/IB = 16,08 mA / 80,42 µA.
Transfer Resistor (Übertragungswiderstand) von den Physikern und späteren Nobelpreisträger John Bardeen, William Shockley und Walter Brattain erfundenes Halbleiterbauelement. Grundsätzlich gleicht ein Transistor einer Elektronenröhre  mit drei Anschlüssen (Basis, Emitter und Kollektor). Der Transistor lässt sich wahlweise als Schalter, Verstärker oder Sensor benutzen. Durch das Anlegen einer Spannung kann er derart gesteuert werden,  dass entweder kein Strom fliesst, oder der Übergangswiderstand des Hauptstromkreises vermindert wird, und damit ein grösserer Strom fliesst. Mit dem Transistor konnte 1947 erstmals eine menschliche Stimme verstärkt werden.  Die Elektronenröhre wurde nach und nach abgelöst. Mit der Weiterentwicklung des Transistors wurde die Informations- und Kommunikationstechnik grundlegend revolutioniert und schliesslich der Grundstein für die Mikroprozessortechnologie gelegt.  Es gibt unipolare Transistoren: der Feldeffekttransistor (FET). FETs werden durch eine Spannung gesteuert. Die Anschlüsse heissen Gate, Drain und Source. Beim MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) kommt noch das  Substrat (Bulk) hinzu, ein weiterer Anschluss der mit der Source verbunden ist. Beim Bipolaren Transistor tragen Elekronen sowie Elekronenlöcher zur Funktion bei. Der auch Bipolar Junction Transistor (BJT) genannte Transistortyp hat 3 Anschlüsse  (Kollektor C, Basis B und Emitter E) und existiert in der Ausführung NPN oder PNP. Dadurch liegen immer 2 gegeneinander geschaltete PN-Übergänge vor. Weiterhin existieren Mischformen. 

Transistor Ausführungen 
Neben herkömmlichen MOSFET-Transistoren kommen organischen Feldeffekttransistoren (OFET) und Transistoren mit integrierten polymerelektronischen Schaltkreisen (IPC) demnächst auf den Markt. Diese eignen sich insbesondere für  den low-budget Bereich im Segment für niedrigpreisige Elektronik-Bauteile wie RFID-Chips. Bei All-Polymer-Feldeffekttransistoren (PFET) werden alle Schaltteile wie Gate, Drain und Source sowie die Halbleiter und  sogar das Dielektrikum aus löslichen Polymeren realisiert.  Die derzeit diskutierten Möglichkeiten reichen von Y-Transistoren (Senkung der Leckströme) über optische Transistoren mit photonischen Kristallen, Nanotransistoren (Werkstoff Graphen, Graphan) bis zu Quantencomputer oder Gencomputer.                                   
Siehe auch:    Integrated-Circuit   Leiterplatten   ALU   Chipsatz   Wafer   halbleiter   Halbleiterspeicher   SSEC   Werkstoff-Graphen   Harvard-Mark-I