Ein High-k-Dielektrikum ist in der Halbleitertechnologie ein Material dessen Dielektrizitätszahl grösser ist als die von Siliciumdioxid (ε =3,9). Durch den Einsatz von High-k Materialien kann die Dicke der Isolatorschicht in MOSFETs  (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor (zu Deutsch: Metall-Oxid-Halbleiter Silicium Feldeffekttransistor))  bei gleichbleibender oder verringerter Kapazität erhöht werden. Dabei werden Leckströme durch den Isolator drastisch verringert. Bei Intels Core 2 Prozessor mit dem Codename "Penryn" (der mit der 45 Nanometer-Technologie hergestellt wird)  wird erstmals Hafnium als High-k-Dielektrikum eingesetzt.                                                   

Das Mooresche Gesetz wurde zum ersten Mal von Gordon Moore in der Zeitschrift Electronics vom April 1965 formuliert. Dort stellte Moore einen Zusammenhang zwischen  der Zeit und der Anzahl der elektronischen Bauteile einer integrierten Schaltung bezüglich der Vergangenheit fest und prophezeite, dass sich die Anzahl der Bauteile alle 12 Monate verdoppele. Dieses sog. Mooresche Gesetz hatte für Jahrzehnte Gültigkeit  bewiesen und gilt noch heute, nur dass es eher 24 Monate sind. Die Verdoppelung heute bezieht sich auch auf eine viel grössere Ausgangszahl.  Der Dual-Core-Itanium Prozessor von Intel mit Codenamen "Montecito" besitzt ungefähr 1,75 Milliarden Transistoren.  Moores Law wird nach Wissen von 2011 auch bis 8 Nanometer Strukturbreite Gültigkeit haben. Vermutlich werden neue Verfahren und Technologien dies auch weiter bestätigen.